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碳化硅電阻率方阻測試儀：1、電阻率ρ不僅和導體的材料有關，還和導體的溫度有關。在溫度變化不大的范圍內：幾乎所有金屬的電阻率隨溫度作線性變化，即ρ=ρ0（1+at）。式中t是攝氏溫度，ρ0是O℃時的電阻...

晶圓電阻率測試儀：電阻率（resistivity）是用來表示各種物質電阻特性的物理量。在溫度一定的情況下，有公式R=ρl/S，其中ρ就是電阻率，l為材料的長度，S為面積?？梢钥闯觯牧系碾娮璐笮∨c材料...

硅片電阻率測試儀：電阻率（resistivity）是用來表示各種物質電阻特性的物理量。在溫度一定的情況下，有公式R=ρl/S，其中ρ就是電阻率，l為材料的長度，S為面積?？梢钥闯觯牧系碾娮璐笮∨c材料...

非接觸式單點薄層電阻測量系統(tǒng)。該裝置包含一個渦流傳感器組，感應弱電流到導電薄膜和材料。非接觸式薄膜方塊電阻測量儀試樣中的感應電流產生與測量對象的片電阻相關的電磁場。電渦流技術不依賴于表面特征或形貌。此...

表面光電壓法（Surface Photovoltage Method，簡稱SPV法）是通過測量由于光照在半導體材料表面產生的表面電壓來獲得少數載流子擴散長度的方法。其原理是：用能量大于半導體材料禁帶寬...

無損方塊電阻測試儀包含一個渦流傳感器組，感應弱電流到導電薄膜和材料。非接觸式薄膜方塊電阻測量儀試樣中的感應電流產生與測量對象的片電阻相關的電磁場。電渦流技術不依賴于表面特征或形貌。此外，非接觸式單點方...

晶錠非接觸方阻測試儀：晶錠，也叫單晶硅棒，是一種純硅材料，在電子工業(yè)中被廣泛應用。晶錠是一種長條狀的半導體材料，通常采用Czochralski法或發(fā)明家貝爾曼的Float-Zone法制備，直徑通常為2...

晶錠渦流法電阻率測試儀：電阻率是用來表示各種物質電阻特性的物理量。某種物質所制成的原件(常溫下20°C)的電阻與橫截面積的乘積與長度的比值叫做這種物質的電阻率。電阻率與導體的長度、橫截面積等...

霍爾遷移率（Hall mobility）是指?Hall系數RH與?電導率σ的乘積，即│RH│σ，具有遷移率的量綱?。其表達式為μH =│RH│σ。?12定義和計算方法霍爾遷移率是Hall系數RH與電導...

??渦流法方阻測試儀的方阻是指一個正方形?薄膜導電材料邊到邊的電阻?，也稱為方塊電阻或?膜電阻。方阻是衡量薄膜狀導電材料（如?蒸發(fā)鋁膜、?導電漆膜、印制電路板銅箔膜等）厚度的一個參數，其大小與材料的電...

是一款汞探針CV自動圖形掃描測量系統(tǒng)。它使用高頻CV測量分析系統(tǒng)，可以對75mm、100mm、125mm、150mm、200mm（以及300mm）直徑的測試片進行測量和自動成圖。該系統(tǒng)采用汞探針設計，...

電化學EC-V剖面濃度測試儀可高效、準確的測量半導體材料（結構，層）中的摻雜濃度分布。選用合適的電解液與材料接觸、腐蝕，從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過程由軟件全自動控制。